HUF75631S3ST


Купить HUF75631S3ST ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HUF75631S3ST
Версия для печати

Технические характеристики HUF75631S3ST

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 33A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C33A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs79nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1220pF @ 25V
Power - Max120W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF75631S3ST (Полевые МОП транзисторы)

33a, 100v, 0.040 Ohm, N-channel, Ultrafet Power Mosfets

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

HUF75631S3ST datasheet
202.34Kb
10стр.
MF-2-3.0 5%
Резисторы MF относятся к виду металлопленочных (металлодиэлектрических), имеют цветовую маркировку номиналов и от мощности 0,5Вт огнеупорны. Могут слу...
Купить
2Р РњР“33Р‘20РЁ1Р•2
Герметичные и высокогерметичные соединители выполнены блочными вилками для сочленения с кабельными негерметичными розетками. Соединители состоят из ...
1760.00 РЎР‚СѓР± Р С™РЎС“пить
РљР 590РљРќ4

66.30 РЎР‚СѓР± Р С™РЎС“пить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход