![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 22A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1900pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF1310NS (N-канальные транзисторные модули) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1310NS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
IRFR2607Z |
![]() |
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRFR2607Z |
![]() |
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
IRFR2607Z |
![]() |
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
J505 | SILICONIX |
![]() |
![]() |
|||||
J505 |
![]() |
176.40 | ||||||
J505 |
![]() |
176.40 | ||||||
SMAJ550/61 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
SMAJ550/61 | GENERAL SEMICONDUCTOR | 394 |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
STP80NF70 |
![]() |
STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
STP80NF70 |
![]() |
ST MICROELECTRONICS SEMI | 4 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
STP80NF70 |
![]() |
3 | 254.40 | |||
![]() |
![]() |
STP80NF70 |
![]() |
ST MICROELECTRONICS | 442 | 119.05 | ||
![]() |
VS-36MB120A |
![]() |
1 фазн мост 1200В 35А D34A | VISHAY | 240 | 1 180.80 | ||
![]() |
VS-36MB120A |
![]() |
1 фазн мост 1200В 35А D34A | VISHAY/IR |
![]() |
![]() |
||
![]() |
VS-36MB120A |
![]() |
1 фазн мост 1200В 35А D34A |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|