IRF3703

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF3703		832.00

Версия для печати

Технические характеристики IRF3703

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8 mOhm @ 76A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	210A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	209nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	8250pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF3703 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF3703 datasheet
182.7 Кб