IRF530NS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF530NS (INTERNATIONAL RECTIFIER)	4	47.23
IRF530NS (JSMICRO)	800	37.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF530NS

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	920pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF530NL (N-канальные транзисторные модули)

HEXFET Power MOSFET

Также в этом файле: IRF530NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF530NS datasheet
610.61Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-20.0K 1%	ЧИП — резистор		1 460	1.44 >500 шт. 0.48
BLD-12КОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
CD4049UBCM			4	72.00
CD4049UBCM		Fairchild Semiconductor
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		2 168	37.25