![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF530NL (N-канальные транзисторные модули) HEXFET Power MOSFET Также в этом файле: IRF530NS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1206-20.0K 1% |
![]() |
ЧИП — резистор | 1 460 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
||||
BLD-12КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
![]() |
![]() |
|||||
CD4049UBCM | 4 | 72.00 | ||||||
CD4049UBCM | Fairchild Semiconductor |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
IRF3205PBF |
![]() |
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF3205PBF |
![]() |
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF3205PBF |
![]() |
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | INFINEON |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF3205PBF |
![]() |
Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ... | 2 168 | 37.25 |
|
Корзина
|