IRF530NS
Транзистор полевой SMD
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF530NL (N-канальные транзисторные модули) HEXFET Power MOSFET Также в этом файле: IRF530NS
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1206-0 | 1 307 | 1.36 | |||||
| 1206-100M 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
12.40 | ||||
| 2010-0J | FAITHFUL LINK |
|
|
|||||
| 4001BNSR (CD4001BNSR) | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TRR-1C12S00-D-RPBF | TTI |
|
|
