IRF6637TR1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF6637TR1 (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	513	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF6637TR1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.7 mOhm @ 14A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1330pF @ 15V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MP
Корпус	DIRECTFET™ MP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF6637 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Directfetpower Mosfet

Также в этом файле: IRF6637TR1

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF6637TR1 datasheet
264.42Kb
9стр.