IRF6646

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF6646		271.52

Версия для печати

Технические характеристики IRF6646

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2060pF @ 25V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DirectFET™ Isometric MN
Корпус	DIRECTFET™ MN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.