IRF6655TR1PBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 530pF @ 25V |
| Power - Max | 2.2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric SH |
| Корпус | DIRECTFET™ SH |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
