IRF6668TR1
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
IRF6668TR1 (INTERNATIONAL RECTIFIER.) |
544 |
3-4 недели Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики IRF6668TR1
Power - Max | 2.8W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1320pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 55A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 12A, 10V |
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MZ |
Корпус | DIRECTFET™ MZ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.