|
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF7205 (P-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | 43 657 |
1.32 >100 шт. 0.66 |
|||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | NXP | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | LGE | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | КИТАЙ | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | EIC | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | HOTTECH | 51 848 | 1.13 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | SEMTECH | 13 | 1.45 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | KLS | 4 | 1.51 | ||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | YANGJIE (YJ) | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | 1 | ||||||
BZV55C4V7 | Стабилитрон If=10mA U=4.7V | KUU | 31 144 | 1.25 | ||||
BZV55-C5V1.115 | Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NXP | ||||||
BZV55-C5V1.115 | Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | DC COMPONENTS | ||||||
BZV55-C5V1.115 | Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NEX-NXP | ||||||
BZV55-C5V1.115 | Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | |||||||
BZV55-C5V1.115 | Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NEXPERIA | ||||||
RES 0603 1M 5% | YAGEO | |||||||
МГТФ-0,07 | ||||||||
МГТФ-0,07 | 1 |
|