![]() |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 410pF @ 25V |
Power - Max | 3.1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF720S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | ПВП17-29-30-102-30У3 Пакетные выключатели ВП предназначены для работы в электрических цепях напряжением до 380 В переменного тока частотой 50 Гц и до 220 В постоянного ток... 2617.76 руб Купить |
![]() | HUFA75639G3 N-channel ultrafet power mosfet Купить |
![]() | 2SC1226 Купить |
|
Корзина
|