IRF730A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF730A		56.96

Версия для печати

Технические характеристики IRF730A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1 Ohm @ 3.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	600pF @ 25V
Power - Max	74W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF730A (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF730A datasheet
132.2 Кб