IRF7402
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7402 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC846BT | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BC846BT | NXP |
|
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
|
|
BC846BT | NXP | 9 |
|
||||
|
|
BC846BT |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NXP |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | 0.00 |
|
|
|||||
| CDRH5D28NP-470NC | SUMIDA | 7 650 | 34.07 | |||||
| CDRH5D28NP-470NC |
|
105.76 | ||||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA | 44 056 | 37.47 | |||||
| CDRH6D28NP-101NC |
|
61.20 | ||||||
| CDRH6D28NP-101NC | SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC |
|
|
|||||
 |
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц | NSC |
|
|
|
|
|
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц |
|
260.00 | ||
|
|
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
LM3478MM |
|
Импульсный стабилизатор напряжения 2,97-40В, 1МГц | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
