Структура N-канал |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 25V |
Power - Max | 125W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF740AS (Дискретные сигналы) 400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF740AL, IRF740ASTRR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SB772P | Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ... | NEC | 4 | 33.15 | ||||
2SB772P | Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ... | 26.00 | ||||||
2SB772P | Транзистор PNP (Vce=-1.1V @ 150mA, 3A, Ic=-3A, P=1, Тип монт. выводной, VCEO,В 30V, Ic ... | RENESAS | ||||||
2SD1065 | Биполярный транзистор | SANYO | ||||||
2SD1065 | Биполярный транзистор | 74.72 | ||||||
M74HC595B1R | Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр, -40/+85 C | ST MICROELECTRONICS | 4 | 56.10 | ||||
M74HC595B1R | Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр, -40/+85 C | 53 | 38.72 | |||||
M74HC595B1R | Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр, -40/+85 C | STMicroelectronics | ||||||
M74HC595B1R | Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр, -40/+85 C | ST MICROELECTR | ||||||
M74HC595B1R | Стандартная логика 8-битный сдвиговый регистр, -40/+85 C | ST MICROELECTRO | ||||||
ИН12Б | Индикатор тлеющего разряда ИН-12Б для работы в качестве визуального цифрового ... | |||||||
ПЛ31А-ПСВ | 26 | 49.28 |
|