IRF7604
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 590pF @ 15V |
| Power - Max | 1.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Корпус | Micro8™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7604 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
 | 1206-100 1% Чип-резистор, smd-резистор, для цепей постоянного, переменного и импульсного тока. Используются для поверхностного монтажа.Номин.сопротивление 100 ОмТ... Купить |
 | ПГ43-45В Коммутируемый ток / напряжение от 1?10-6 до 0,25 А / 1?10-6 до 127 В Сопротивление контактов / изоляции от 0,06 Ом / 1000 МОм Количество коммутаций 30... 518.40 руб Купить |
 | HER307 Диод из серии высокоэффективных  диодов  (High Efficiency Rectifiers) с малым временем восстановления.  Основные х... Купить |
