IRF7855PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V, 12A, 2.5W, 0.0094R)
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1560pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7855PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRF7842 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER | 56 | 125.95 | |
|
|
|
IRF7842 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
196.00 | ||
|
|
|
IRF7842 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRF7842 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | EVVO | 2 396 | 28.72 | |
|
|
LM5642MTC | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM5642MTC | NSC |
|
|
||||
|
|
LM5642MTC |
|
600.00 | |||||
|
|
LM5642MTC | NATIONAL SEMICONDUCTOR | 70 |
|
