IRF7910

Версия для печати

Технические характеристики IRF7910

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	2 N-Channel (Dual)
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 8A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1730pF @ 6V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7910 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Dual N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7910 datasheet
131.5 Кб