IRF8910PBF


Транзистор N-канальный MOSFET 20V 10A

IRF8910PBF (заказ)
IRF8910PBF
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС
IRF8910PBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 8 3-4 недели
Цена по запросу


Технические характеристики IRF8910PBF

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.4 mOhm @ 10A, 10V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds960pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru