IRF9540N

P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF9540N (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	134.25
IRF9540N	5	120.96
IRF9540N (EVVO)	1 296	29.22
IRF9540NPBF (INFINEON)	2 861	38.62
IRF9540NPBF	840	39.03
IRF9540NS	1	196.56
IRF9540NS (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	17	3-4 недели Цена по запросу
IRF9540NS (IR/VISHAY)	8	94.38
IRF9540NSTRLPBF (INFINEON)	302	71.44

P-канальный Полевой транзистор
Мощность рассеиваемая 140Вт
Напряжение сток/исток 100В
Ток стока 23А
Время вкл. /выкл. 15/51нс
Диапазон температур - 55 ... 175^оС
IRF9540NS корпус для поверхностного монтажа D2Pak
IRF9540NL корпус ТО - 262
IRF9540N корпус TO-220

Версия для печати

Технические характеристики IRF9540N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	23A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	97nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF9540NS

100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF9540NL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF9540N datasheet
304.24Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	5 158	1.88 >100 шт. 0.94
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	78 221	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	847	3.22
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	177 533	1.69
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	29 647	1.28 >100 шт. 0.64
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	10 324	1.08
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DI
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	7 906	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE	4 000	740.50
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В		175 059	5.55
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	105 245	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS	38 183	2.61
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	197 468	1.88 >100 шт. 0.94
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	113 380	1.48 >100 шт. 0.74
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	17 439	1.05
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	1
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	10 212	1.90 >100 шт. 0.95
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	119 600	612.36
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	6 140	5.37
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	12 792	4.22
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		9 080	1.13
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	77 396	0.75 >1000 шт. 0.15
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1 077.30
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.20
2N5401	Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	16.11
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	3 175	5.05
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 431	3.86
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		9 600	1.22
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	2 188	1.88
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1 264.41
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	DIODES
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	DC COMPONENTS	608	15.65
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В		14 122	5.30
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	GALAXY
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	MIC	17 868	7.61
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	КИТАЙ
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	YJ	17 966	11.75
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	GALAXY ME
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	KLS
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	YANGJIE (YJ)
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	YANGJIE	13 200	10 773.00
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	1
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	SUNTAN	102	8.98
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	XSEMI	4 992	7.77
HER508	Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В	KOME	6 160	9.05
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	128.88
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		693	79.55
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI
IRF540N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS

IRF9540N

P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: