IRFB31N20D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB31N20D		222.00
IRFB31N20DPBF (INFINEON)	1	577.51

Версия для печати

Технические характеристики IRFB31N20D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2370pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB31N20D (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.082ohm, Id=31A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB31N20D datasheet
193.45Kb
11стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	SANKEN	15	282.92
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	SK
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)		1	228.06
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	КИТАЙ
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISC
2SC4468	Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISCSEMI
2SJ352	Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	HITACHI
2SJ352	Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	HITACHI SEMICONDUCTOR
2SJ352	Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)			491.16
2SJ352	Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)	RENESAS
IR1150S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR1150S				220.32
IR1150S		МАЛАЙЗИЯ
IR21531S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR21531S			176	426.56
IR21531S		МАЛАЙЗИЯ
IR21531S		INFINEON
IRS20957S		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRS20957S
IRS20957S		INFINEON