IRFR210
Hexfet® power mosfet
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR210 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | MAX313CSE 10 Ом, 4-х канальный, аналоговый CMOS ключ с одним каналом на управляющий сигнал Купить |
 | ВБ1.30М.65.20.7.4.К емкостной датчик, замыкающий, переменное напряжение Купить |
 | XC9536 Программируемая в системе cpld семейства xc9500, 800 вентилей, 36 макроячеек, -40...+85°c Купить |
