![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR210 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
![]() | ПГ2-8-12П4НР Коммутируемый ток / напряжение AC DC 0,05-2 А / AC DC 30-220 В Сопротивление контактов / изоляции 0,02 Ом / 1000 МОм Рабочий диапазон температур -60 д... 2534.28 руб Купить |
![]() | SWD-06RL Движковые переключатели для поверхностного монтажа Коммутируемый ток / напряжение 25 мА / 24 В Сопротивление контактов / изоляции 0,1 Ом Рабочий диапа... Купить |
![]() | FDH047AN08A0 N-channel powertrench mosfet Купить |
|
Корзина
|