IRFR214

Версия для печати

Технические характеристики IRFR214

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 1.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR214 (Дискретные сигналы)

250V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Также в этом файле: IRFR214TRL, IRFR214TRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR214 datasheet
169.07Kb
6стр.