IRFR310TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR310TR (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	713	3-4 недели Цена по запросу
IRFR310TR		40.52

Версия для печати

Технические характеристики IRFR310TR

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	170pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR310 (Дискретные сигналы)

400V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Также в этом файле: IRFR310TRL, IRFR310TRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR310TR datasheet
173.79Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007 (1A 1000V)
IRFR9310TR		VISHAY
IRFR9310TR		Vishay/Siliconix
КР1441ВИ1 (КМОП ТАЙМЕР.		МИКРОН
КР1441ВИ1 (КМОП ТАЙМЕР.
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный		311 021	3.52
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ТОМСК	8	2.00
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	КВАРЦИТ
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	RUS
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НАЛЬЧИК
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ДАЛЕКС
КТ361Г	Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НИИПП ТОМСК	3 760	35.42
КТ 502Г	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный