IRFR3711Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR3711Z		68.72

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3711Z

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	93A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2160pF @ 10V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR3711Z (Дискретные сигналы)

HEXFET Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR3711Z datasheet
219.76Kb
11стр.