IRG4BC20KD

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRG4BC20KD		392.00

Версия для печати

Технические характеристики IRG4BC20KD

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 9A
Current - Collector (Ic) (Max)	16A
Power - Max	60W
Тип входа	Standard
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRG4BC20KD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

Insulated Gate Bipolar Transistor

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRG4BC20KD datasheet
223.59Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-1.0 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0805-1.0 5%	ЧИП — резистор		1 560	1.60 >100 шт. 0.80
0805-2.0K 5%	ЧИП — резистор 2кОм, 1%		416	1.20
0805-200 5%	ЧИП — резистор (бескорпусный толстопленочный) 200Ом, 5%, 0,125Вт			1.60 >100 шт. 0.80
1206-X7R-5600PF 10% 50V	Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В	KOME
1206-X7R-5600PF 10% 50V	Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В		24	1.24
IRF1010N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	178.50
IRF1010N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W			93.68
IRF1010N	Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W	INFINEON