![]() |
|
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 38A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V |
Power - Max | 330W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRL3713 (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRL3713S
Производитель:
|
![]() | РџР•222 Р В Р’ВВВВР РЋР Сџ.2 Для РєРѕРСВВВВплектацРСвЂВВВРцпанелей, пультов, постовРцшкафовуправленРСвЂВВВР РЋР РЏ встацРСвЂВВВонарных установках, Р В Р’В° также РІРСВВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВкропроцессорной технРСвЂВВВРєРµ, Р В Р’В Р РЋР’ВВВеталлообрабатывающеРѠРѕР±... 1579.20 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | SC40-19GWA 7-сегРСВВВВентный С†РСвЂВВВфровой Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВВР Р…Р ТвЂВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВкатор Р РЋР С“ высотой РЎРѓР СвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВвола 100Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋР’В (4 Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВСЋР№РСВВВВР В Р’В°) Высота РЎРѓР СвЂВВВР В Р’В Р РЋР’ВВВвола 100Р В Р’В Р РЋР’ВВВР В Р’В Р РЋР’В (4 Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВСЋР№РСВВВВР В Р’В°). Малый ток потребленРСвЂВВВР РЋР РЏ Легко устанавлРСвЂВВВвается Р Р…Р В° Р С—Р Вµ... РљСѓРїРСвЂВВВть |
![]() | TMR 4821 Dc/dc конвертер серРСвЂВВВР С†tmr 2 Р В Р’В Р РЋР’ВВВощностью 2 ватта, регулРСвЂВВВСЂСѓРµРСВВВВый выхоРТвЂВВВОсобенностРСвЂВВВ: Р В Р РѓР В РЎвЂВВВСЂРѕРєРСвЂВВВР в„– Р В Р’В Р СћРІР‚ВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВВапазон РІС…РѕРТвЂВВВных напряженРСвЂВВВР в„– 2:1 РљРѕРСВВВВпактный РєРѕСЂРїСѓСЃ SIP-8 Мал... 1339.14 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВВть |
|
Корзина
|