|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
Power - Max | 3.8W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2Д706АС9 | 1 | 43.75 | ||||||
2Д706АС9 | ДАЛЕКС | |||||||
2Д706АС9 | АЛЕКСАНДРОВ | 50 624 | 30.00 | |||||
IRF540S | Hexfet® power mosfet | VISHAY | ||||||
IRF540S | Hexfet® power mosfet | 1 | 165.60 | |||||
IRF540S | Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix | ||||||
IRF540S | Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | 304 | |||||
IRLR120NTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | |||||||
IRLR120NTRPBF | INFINEON | 640 | 40.34 | |||||
IRLR120NTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 31 | ||||||
IRLR120NTRPBF | 640 | 28.39 | ||||||
К293ЛП7Т | 13 | 105.00 | ||||||
К293ЛП7Т | 13 | 105.00 | ||||||
К293ЛП7Т | ПРОТОН | |||||||
КТ3129Г9 | 2 234 | 3.50 | ||||||
КТ3129Г9 | АЛЕКСАНДРОВ | |||||||
КТ3129Г9 | ДАЛЕКС | 3 | 29.50 | |||||
КТ3129Г9 | ЭЛЕКС | 4 | 3.02 | |||||
КТ3129Г9 | RUS | |||||||
КТ3129Г9 | МИНСК | |||||||
КТ3129Г9 | ИНТЕГРАЛ |
|