IRLL2705
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=5.2A@T=25C, Id=3.0A@T=70C, Rds=0.04 R, P=2.1W, -55 to +175C).
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLL2705 (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
