IRLML2402TRPBF
N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.95A@T=70C, Rds=0.25 R, P=540mW, -55 to +150C), упр-е логич. уровнем.
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 930mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Power - Max | 540mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
