ISL9N302AP3

Версия для печати

Технические характеристики ISL9N302AP3

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	11000pF @ 15V
Power - Max	345W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ISL9N302AP3 (MOSFET)

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET® Trench Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

ISL9N302AP3 datasheet
122.5 Кб