IXFH32N50

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXFH32N50		1 747.32

Версия для печати

Технические характеристики IXFH32N50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	300nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5700pF @ 25V
Power - Max	360W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFT30N50Q (N-канальные транзисторные модули)

HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class

Также в этом файле: IXFH32N50Q

Производитель:
IXYS Corporation
//www.ixys.com

IXFH32N50 datasheet
110.85Kb
4стр.