IXFK36N60

Версия для печати

Технические характеристики IXFK36N60

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	36A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	325nC @ 25V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9000pF @ 25V
Power - Max	500W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-264AA
Корпус	TO-264AA

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH36N60P (Полевые МОП транзисторы)

PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

Также в этом файле: IXFK 36N60P

Производитель:
IXYS Corporation
//www.ixys.com

IXFK36N60 datasheet
119.78Kb
4стр.