IXFN170N10

Версия для печати

Технические характеристики IXFN170N10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	515nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	10300pF @ 25V
Power - Max	600W
Тип монтажа	Шасси
Корпус (размер)	SOT-227-4, miniBLOC
Корпус	SOT-227B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.