IXTH8P50

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IXTH8P50		1 224.04

Версия для печати

Технические характеристики IXTH8P50

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3400pF @ 25V
Power - Max	180W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXTH8P50 (MOSFET)

Standard Power MOSFET

Производитель:
IXYS

IXTH8P50 datasheet
515.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	VISHAY
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W		2	96.80
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	Vishay/Siliconix
IRFBC30	Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W	КИТАЙ
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	INFINEON
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A
IRFP9140NPBF	Полевой транзистор P-Ch 100V 23A 140W 0,117R TO247A	IR/VISHAY
L4981BD		ST MICROELECTRONICS
L4981BD				464.00
L4981BD		ST MICROELECTRONICS SEMI	452
L4981BD		STMicroelectronics
L4981BD		ST1
L4981BD		ST MICROELECTRO
NCP1203D60R2G			1	187.20
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1203D60R2G		ONS
NCP1203D60R2G		ON SEMICONDUCTO
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1				74.40
UC3842BD1		ON SEMICONDUCTOR
UC3842BD1		STMicroelectronics
UC3842BD1		ST MICROELECTRONICS	800	66.30