K6X1008T2D-GF70
Статическая память (SRAM), Об. пам. 128K*8, ннтерфейс параллельный, Тдост 70 нс, Тэксп,С -40+85, Vcc,В 2,7~3.6 В
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
K6X1008T2D-GF70 |
 |
140.84
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики K6X1008T2D-GF70
| Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS |
| Количество в упаковке | 1000 шт. |
| Вес | 2.000 г |
| Объём памяти | 1024 kbit |
| Cell Resistance @ Illuminance | 128x8 |
| Center / Cutoff Frequency | 70 нс |
| Напряжение питания | 2.7…3.6 В |
| Корпус (размер) | SOP32 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Температура хранения | -65...150 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
K6X1008T2D (Маломощная SRAM (1 Мб))
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
Также в этом файле:
K6X1008T2D-GF70
Производитель:
Samsung semiconductor
|
