|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
|
45
|
30.24
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 491
|
28.10
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
INTEGRAL
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 145
|
10.62
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
HOTTECH
|
4 864
|
9.68
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
WUXI XUYANG
|
17
|
24.87
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
SUNTAN
|
2 029
|
7.08
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BD139-16 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...
|
LUGUANG
|
2 877
|
5.95
|
|
|
|
IRGB10B60KD |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
191
|
88.20
|
|
|
|
IRGB10B60KD |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGB10B60KD |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGB15B60KD |
|
Транзистор IGBT
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MPS4250 |
|
|
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
18
|
18.15
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
|
|
39.52
|
|
|
|
NE5532D |
|
Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
466
|
|
|