|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-220 1% |
|
ЧИП — резистор 220кОм, 1%, 125Вт
|
|
1 740
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
120
|
17 784.45
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117MPX-1.8/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4 821
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222ALT1G |
|
Транзистор NPN (Uce=30V, Ic=0.6A, P=225mW, B=100-300@I=150mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
T491A475K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В
|
KEMET
|
|
|
|
|
|
T491A475K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В
|
|
|
7.56
|
|
|
|
T491A475K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В
|
KEMET
|
2 460
|
|
|
|
|
T491A475K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491A475K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 4.7 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|