LM217LD13TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Топология регулятора | Positive Adjustable |
| Напряжение выходное | 1.2 V ~ 37 V |
| Число регуляторов | 1 |
| Ток выходной | 100mA |
| Ток минимальный предел тока | 100mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память | ATMEL |
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память |
|
46.00 | ||
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память | ATMEL CORPORATION | 16 |
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память | MICRO CHIP |
|
|
|
| BAS316,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS316,115 |
|
|
||||||
| BAS316,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NEXPERIA | 24 000 |
|
|||||
| BAS316,115 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BAS316,115 | NXP/NEXPERIA | 15 | 8.18 | |||||
| BAS316,115 | NEX-NXP | 784 | 4.92 | |||||
| MMBFJ309LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBFJ309LT1G | ONS | 106 | 15.72 | |||||
| MMBFJ309LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 372 |
|
|||||
| MMBFJ309LT1G |
|
|
||||||
 |
|
SIM900 [B09] |
|
Модем гражданской сотовой связи 850/ 900/ 1800/ 1900 МГц, 24х 24х 3 мм, 3,4 ... 4,5 ... | SIMCOM |
|
|
|
|
|
|
SIM900 [B09] |
|
Модем гражданской сотовой связи 850/ 900/ 1800/ 1900 МГц, 24х 24х 3 мм, 3,4 ... 4,5 ... |
|
3 360.00 | ||
|
|
SN65HVD233D | 8 | 317.00 | |||||
|
|
SN65HVD233D | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
SN65HVD233D | TEXAS INSTRUMENTS | 1 |
|
||||
|
|
SN65HVD233D | TEXAS |
|
|
