|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DG142R-5.08-03P (FB142R) |
|
|
DEGSON ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
55 341
|
118.08
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
79
|
240.55
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
144.24
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
3 049
|
132.30
|
|
|
|
IRF3808 |
|
Транзистор полевой N-канальный 75В 140А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
266
|
234.60
|
|
|
|
IRF3808 |
|
Транзистор полевой N-канальный 75В 140А
|
|
3
|
242.40
|
|
|
|
IRF3808 |
|
Транзистор полевой N-канальный 75В 140А
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF3808 |
|
Транзистор полевой N-канальный 75В 140А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF3808 |
|
Транзистор полевой N-канальный 75В 140А
|
1
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
|
24
|
34.00
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
1 299
|
11.38
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 763
|
16.00
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
22
|
22.22
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
600
|
8.00
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.77
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 160
|
46.25
|
|