|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
15.30
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
5 148
|
5.95
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
4 426
|
3.43
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
18 800
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
3 692
|
2.06
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 600
|
1.36
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS
|
37 280
|
10.12
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
MOTOROLA
|
17
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
174
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
160
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
12 422
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM2904D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
4
|
20.52
|
|
|
|
LM308H |
|
Прецизионный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM308H |
|
Прецизионный операционный усилитель
|
|
|
480.00
|
|
|
|
LM308H |
|
Прецизионный операционный усилитель
|
NSC
|
4
|
489.60
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ONS
|
792
|
54.12
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
MC14093BDR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
|
|
552.00
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|