LQG18HN4N7S00D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LQG18HN4N7S00D (MURATA)	600	8.77
LQG18HN4N7S00D (MUR)	12 538	4.75

Индуктивность чип, SMD монтаж
Номинал 4.7нГн
Импеданс 200мОм
Добротность 12
Точность 5%
Ток 450мА
Частота резонанса 100МГц

Версия для печати

Технические характеристики LQG18HN4N7S00D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	LQG18H
Inductance	4.7nH
Current	450mA
Тип	Air Core
Допустимые отклонения емкости	±0.3nH
DC Resistance (DCR)	200 mOhm Max
Q @ Freq	12 @ 100MHz
Self Resonant Freq	6GHz
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Frequency - Test	100MHz
Material - Core	Air
Сфера применения	High Frequency
Tolerance	±0.3nH

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Индуктивность чип, SMD монтаж, 47нГн,400мА, 100Мгц

LQG18HN4N7S00D datasheet
43,09kB
2стр.