MBRB20H100CT

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MBRB20H100CT (GENERAL SEMICONDUCTOR.)	26	3-4 недели Цена по запросу

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки. улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Версия для печати

Технические характеристики MBRB20H100CT

Current - Reverse Leakage @ Vr	4.5µA @ 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	770mV @ 10A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	TO-263AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBRB20H100CT (Диоды Шоттки)

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки. Улучшенная технология барьера для повышения температуры перехода

Производитель:
Vishay

MBRB20H100CT datasheet
503 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FH10M SMT		AUK
FH10M SMT				54.00
FH10M SMT		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
FH10M SMT		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
FH10M SMT		KLS
FH12M SMT		AUK
FH12M SMT				57.48
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	22.95
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET			19.20
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	КИТАЙ
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HOTTECH	280 444	4.92
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	HUASHUO	50 876	3.65
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	YOUTAI	18 576	4.43
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	UMW	33 600	3.94
IRLML2502	Транзистор полевой N-канальный MOSFET	KEENSIDE	4 101	3.73
ЧИП ТАНТАЛ 10МКФ 20В20%ТИПB		AVX
ЧИП ТАНТАЛ 10МКФ 20В20%ТИПB		VISHAY
ЧИП ТАНТАЛ 6.8МКФ 25В20%ТИПC		SAMSUNG