Current - Reverse Leakage @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | TO-263AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
|
|
26.36
|
|
|
|
74HC574DW |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), 8-битный буферный регистр с импульсным управлением
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
1 104
|
2.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 333
|
2.44
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
23 728
|
2.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
12 000
|
1.28
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
73
|
3.36
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
77 416
|
1.87
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
89 256
|
1.97
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DC COMPONENTS
|
15 664
|
3.21
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES INC.
|
31
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
9 647
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PHILIPS
|
634
|
2.00
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIOTEC
|
20 424
|
2.90
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
|
59 543
|
1.30
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
HOTTECH
|
5 463
|
1.56
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PANJIT
|
1
|
3.52
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
YJ
|
197 754
|
1.51
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
SUNTAN
|
17 832
|
2.03
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2
|
20.00
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
|
|
48.64
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONS
|
8
|
59.04
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
32
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
ONSEMI
|
16
|
14.75
|
|
|
|
MBRS1100T3G |
|
SMD диод Шоттки 100V 1A
|
FUXIN
|
3 723
|
7.52
|
|