MBT3906DW1T1
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 150mW |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
| Product Change Notification | EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007 Wire Change 08/Jun |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MBT3906DW1T1 Dual General Purpose Transistor Также в этом файле: MBT3906DW1T1G
Производитель:
|
 | KB-2755YW Светодиодная линейка 8.89х8.89мм Однородная светоизлучающая поверхность Малое потребление Легко устанавливается на печатные платы или стандартные р... 132.71 руб Купить |
 | SWT-20-7.3 (DTS-644K) Коммутируемый ток / напряжение 50 мА / 12В Количество переключений 1000000 Рабочий диапазон температур -20С°/+70C° Купить |
 | HUFA76409D3 N-channel, logic level ultrafet power mosfets Купить |
