|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
|
|
238.00
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP250 |
|
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
|
|
275.84
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP360 |
|
Транзистор полевой N-MOS 400V, 23A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
|
|
77.28
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MC33269DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Udrop=1.1V@0.8A, Uinmax=20V, -40 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
|
441
|
61.78
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
СЗТП
|
328
|
63.96
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КД202Р |
|
Диоды кремниевые, диффузионные для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
МБГТ-2МКФ 160В (10%) |
|
|
|
|
|
|