MJE15028
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 2V |
| Power - Max | 50W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJE15028 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120 В 150 VOLTS 50 WATTS
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD362 | SAMSUNG |
|
|
||||
|
|
MJE15030 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MJE15030 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20 |
|
93.04 | |||
|
|
MJE15030 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 150V 8A 50W B>20 | ISC |
|
|
