MJE170


Купить MJE170 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJE170
Версия для печати

Технические характеристики MJE170

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.7V @ 600mA, 3A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 1V
Power - Max12.5W
Frequency - Transition50MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-225-3
КорпусTO225AA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MJE170

Pnp (low Power Audio Amplifier)

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

MJE170 datasheet
139.89Kb
4стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  MJE171     ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE171     ON SEMICONDUCTOR 1 738 цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MJE172 Транзистор PNP 80V 3A 12,5W   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход