MJW21196G


MJW21196G (заказ)
MJW21196G

Технические характеристики MJW21196G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 8A, 5V
Power - Max200W
Frequency - Transition4MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-247-3 (TO-247AC)
КорпусTO-247
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru