| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 500mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 60pF @ 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Discontinuance 11/Feb/2009 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
15 845
|
33.25
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
162
|
91.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YJ
|
4 622
|
1.12
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
ES1A |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
70
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
|
40
|
|
|
|
|
|
IRF7319PBF |
|
Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
33.15
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
|
|
13.00
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
28
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
HOTTECH
|
473 724
|
5.90
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2402 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (20V, 1.2A, 0.54W)
|
YOUTAI
|
36 844
|
4.49
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
|
930
|
183.75
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД258Д |
|
Диод кремниевый выпрямительный для преобразования переменного напряжения 1.5А, 1000В, ...
|
ТЭЗ
|
532
|
234.60
|
|
Версия для печати
