MMBT3904WT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBT3904WT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	19 970	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBT3904WT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	150mW
Frequency - Transition	300MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
A4989SLDTR-T		Allegro Microsystems Inc
A4989SLDTR-T		ALLEGRO
A4989SLDTR-T
ADG409BRUZ		ANALOG DEVICES
ADG409BRUZ				1 200.00
ADG409BRUZ		Analog Devices Inc
ADG409BRUZ		ANALOG
BLM18PG221SN1D				6.00
BLM18PG221SN1D		MURATA
BLM18PG221SN1D		MUR	123 800	1.24 >100 шт. 0.62
BLM18PG221SN1D		Murata Electronics North America
BLM18PG221SN1D		MURATA	11 428
BLM18PG221SN1D		MURATA*
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206			16.84
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	Murata Electronics North America
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MUR	13 188	5.09
BLM31PG391SN1L	Дроссель подавления ЭМП 390 Ом 1206	MURATA
SN74LVC1G08DCKR				18.60
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	2 400	11.81
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	12 148
SN74LVC1G08DCKR		TEXAS
SN74LVC1G08DCKR		YOUTAI	25 332	3.30
SN74LVC1G08DCKR		UMW	256	5.90
SN74LVC1G08DCKR		UMW-YOUTAI