MMBTH10LT1

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBTH10LT1 (ON SEMICONDUCTOR.)	838	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MMBTH10LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.