MRF5812GR1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
| Gain | 13dB ~ 15.5dB |
| Power - Max | 1.25W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | HVM10 (10кВ, 350mA/50A) R&T высоковольтный диод Купить |
 | AM1S-1212SZ DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 10.8:13.2В, выход 12В/100мА, изоляция 1000В DC, -40:+85°С Купить |
 | PEN5-483R3E2:1LF DC/DC преобразователь мощностью 5Вт, вход 36:72В, выход 3.3В/1.2А, изоляция 1500В DC, DIP24(31.8х20.4Х10.2мм), -40:+85°С Купить |
